Оксид галлия (Ga₂O₃) — полупроводник четвёртого поколения, который может заменить карбид кремния (SiC) в силовой электронике. Чем толще кристалл-заготовка, тем больше подложек (тонких
💡 Почему важно: Оксид галлия (Ga₂O₃) — полупроводник четвёртого поколения, который может заменить карбид кремния (SiC) в силовой электронике. Чем толще кристалл-заготовка, тем больше подложек (тонких пластин-основ для чипов) из него нарезают и тем ниже себестоимость каждой. Китай активно наращивает компетенции в этой области, укрепляя позиции в гонке за следующее поколение чипов для электроники и энергетики.
📰 Что произошло: Компания Fujia Gallium (富加镓业) сообщила, что вырастила монокристальный слиток оксида галлия диаметром 6 дюймов и толщиной свыше 70 мм. Использовался собственный метод вертикального Бриджмена (VB-метод) — способ медленного выращивания кристалла из расплава. Китайский институт метрологии (中国计量科学研究院) подтвердил: средняя толщина слитка — 70,58 мм, отклонение по толщине — всего 0,12 мм. Это превышает толщину стандартных слитков карбида кремния, которая составляет 20–50 мм. Лаборатория Pinghu (平湖实验室) проверила кристаллическое качество методом HRXRD: среднее значение полуширины пика (показатель однородности кристалла) по 5 точкам — 38,71 угловых секунды, что лучше порогового значения в 50 арксек. Китайский институт метрологии также проверил электрические параметры: электрическое сопротивление подложки соответствует требованиям индустрии карбида кремния. Fujia Gallium представит слитки и подложки размером 2–8 дюймов на конференции по росту кристаллов, которая проходит 22–25 августа 2026 года в Цзинани.
🏢 Справка: Fujia Gallium (富加镓业) — китайский производитель подложек из оксида галлия, специализирующийся на VB-методе выращивания монокристаллов.
Первоисточник: Запись в канале @news_chinatech. Мы пересказали новость и проверили числа и имена; за фактами следует идти в первоисточник.
Лента отвечает на вопрос «что случилось». Как это устроено — в разборах и отчётах; значения терминов — в глоссарии.